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半导体设备「去日本化」之路尚远!韩对日逆差额大增

  日本政府于2019年7月加强对韩国的出口管制后、迄今已接近2年时间,而为了对抗日本出口管制,韩国政府祭出「去日本化」措施,力拼将材料、半导体设备等对日本依赖度高的品项进行国产化,只不过韩国的半导体设备「去日本化」之路仍远,韩国对日本的贸易逆差额大增。

  日经新闻25日报导,日本于2019年7月对韩国加强出口管制迄今、已接近2年时间,而韩国为了对抗日本出口管制,祭出材料和零件、半导体设备产业育成政策,提供补助金、税制优惠等措施,目标把对日本依赖度高的品项国产化、藉此推动「去日本化」措施,只不过韩国在半导体设备上的「去日本化」之路仍远,对日本的贸易逆差额再度呈现扩大。

  据报导,韩国贸易协会指出,2021年1-5月期间韩国对日本的贸易逆差额较去年同期大增34%至100亿美元;和去年同月相比、韩国对日本贸易逆差额连13个月呈现扩大。而韩国对日本贸易逆差额扩大、也显示韩国政府的「去日本化」战略倒退走。

  导致韩国对日本贸易逆差额大增的主因就是来自于半导体设备的进口额暴增。1-5月期间韩国从日本进口的半导体设备金额达29亿美元、较去年同期暴增55%;包含半导体材料在内的「精密化学原料」进口额也成长12%。

  报导指出,韩国半导体业界指出,「没有日本制产品的话、就无法战斗」。现实情况是,三星为了在最先进技术上能赢过台积电(2330)等对手、正寻求加强和日系供应商的关系。

  韩联社27日报导,自2019年7月日本加强出口管制措施后就呈现急减的韩国对日本贸易逆差额再度呈现扩大,而若1-5月期间的扩大速度持续的线年)韩国对日本的年间贸易逆差额预估将回复至「拒买日本产品」运动前的水平。

  自2004年以后、韩国对日本的年间贸易逆差额约为200亿-300亿美元,2019年贸易逆差额狂缩至192亿美元、创下历史新低纪录,不过2020年又增加至209亿美元。

  根据日本半导体制造装置协会(SEAJ)6月17日公布的初步统计显示,2021年5月份日本制半导体(芯片)设备销售额(3个月移动平均值)较去年同月暴增48.6%至3,054.05亿日圆,连续第5个月呈现增长,创46个月来(2017年7月以来、暴增49.9%)最大增幅,且月销售额史上首度突破3,000亿日圆大关、续创有数据可供比较的2005年以来历史空前新高纪录。

  “美国拟对中企禁售NAND闪存设备,韩国半导体产业或‘躺枪’”,韩国《亚洲经济》8月2日的报道称,美国继对华禁售14纳米以下光刻机等半导体设备后,正在考虑限制向中国存储半导体制造商出口美国半导体制造设备,三星电子和SK海力士等韩国半导体大厂或因此蒙受损失。报道称,美方此次计划禁止对华销售用于制造128层堆叠以上的NAND闪存芯片设备,限制对象包括长江存储等,目前尚处于初步讨论阶段,暂无起草计划。目前生产制造128层堆叠以上的NAND闪存芯片设备包括美国的应用材料公司和泛林集团等企业。若这项限制计划最终获批,将是美方首次通过出口管制来限制中国生产非军事用途的存储芯片。有专家认为,这项计划最大的受害者有可能是韩国半导体产业,尤其是三

  据报道,最新数据显示,全球半导体的销售增速已经连续六个月放缓。这其实上发出又一个信号,表明在利率攀升和地缘因素的影响下,全球经济呈现出一种疲态。半导体行业相关组织的数据显示,六月,全球半导体销售收入同比增长13.3%,但增速低于五月的18%。发布上述数据的行业组织是“美国半导体行业协会”,该组织代表着美国半导体行业99%的营业收入,以及三分之二的企业数。该机构发布的全球芯片销售数据源自于“世界半导体贸易统计”机构。在过去几十年中,全球半导体销售收入的三个月移动平均值,和全球经济的表现呈现正相关。最近,有关全球性经济衰退的担忧,已经促使三星电子等半导体厂商考虑缩减投资计划。在今天的世界,生产和生活越来越依靠数字产品和服

  德国大众旗下CARIAD和意法半导体合作开发芯片,面向软件定义汽车•新的合作模式:CARIAD和大众集团将首次与二、三级半导体供应商建立直接合作关系•保障三级供货:CARIAD、台积电和意法半导体计划由台积电为意法半导体制造系统级芯片 (SoC)圆片•创新基础:合作开发的新款SoC旨在完善意法半导体高性能 Stellar系列汽车MCU•提升效率:这款完美定制的SoC将作为CARIAD 区域架构中所有电控单元的标准芯片2022 年 8 月 4 日,中国 ——德国大众汽车集团旗下软件公司CARIAD和服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)宣布,双方即将开始合作开发汽车系

  合作开发芯片,面向软件定义汽车 /

  2022 年 8 月 2 日,中国 – 意法半导体的TSB582双路高输出放大器可以简化工业电机、阀门、旋转变压器和汽车电动转向系统、自动泊车等感性和低阻性负载驱动电路。TSB582 采用 4V-36V 电源,由两个运算放大器(运放)组成,每个运放的灌电流/拉电流最高200mA,可以桥接直连负载,允许用一个 TSB582 替换两个单通道功率运放或由分立元件构建的大电流驱动器。在同一个封装内集成两个运放,TSB582 能够节省高达 50% 的电路板空间并降低物料清单成本。TSB582 有工业级和汽车级两个版本,工业版本适用于控制机器人运动和位置、传送带和伺服电机,汽车应用包括电动转向、电驱电机等电机转子位置检测,以及自动驾驶辅助系统、

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  中国上海,2022年8月2日—— 中微半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“中微公司”,今日迎来成立18周年的“成年礼“。历经十八年的风雨兼程与成长蜕变,踏上新征程的中微公司将砥砺奋发,向半导体行业新高峰进军。从最初十几人的初创团队,到现在已逾千人的员工规模;从一家初创公司,到成长为科创板首批上市企业;从起步阶段的探索尝试,到高端设备全球客户满意度迭创佳绩,中微公司在十八年的发展过程中,励精图治、乘风破浪,深刻诠释了开拓进取、勇攀高峰的中微精神。中微公司董事长兼总经理尹志尧博士表示:“芳华十八,砥砺奋发!十八年来,我们对技术创新与卓越营运的不断追求。在全体员工坚韧不拔的奋斗和团结一致的努力下,在股东和社会各界的大力支持下,中微公

  钙钛矿太阳能电池具有成本低、光电转换效率高等优点。经过十多年的快速发展,钙钛矿单结电池效率已超过25%,基于钙钛矿的多结叠层电池效率已超过30%,钙钛矿太阳能电池被认为是未来最具应用潜力的光伏技术之一。光电转换效率是太阳能电池的核心指标之一,为实现高效率的钙钛矿太阳能电池,人们常采用可与钙钛矿形成I型异质结能级结构的二次相碘化铅(PbI2)来阻挡载流子在多晶钙钛矿晶界或表面缺陷处复合。早期半导体所团队曾发现基于二次相PbI2的钙钛矿电池较难兼顾效率和稳定性(Advanced Materials, 2017,29,1703852)。主要原因是PbI2二次相的存在可能提供了钙钛矿分解以及离子移动通道,使得钙钛矿材料以及电池器件长期稳定性

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